光电耦合器电离辐射损伤电流传输比1/f噪声表征

• 作者: 何亮 包军林 杜磊 林丽艳
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 1/f噪声 光电耦合器 缺陷 模型
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 609-615
• 分类号: O483
• 语种: 中文

摘要

在研究光电耦合器电离辐射损伤机理基础上,分别建立光电耦合器电离辐射损伤电流传输比(CTR)表征模型和1/f噪声表征模型.结果表明CTR退化和噪声增加都归因于辐射后光敏三极管集电结和发射结处SiO2/Si界面缺陷增多.根据CTR退化和噪声变化分别与辐射剂量的关系,建立起噪声变化与CTR退化之间的关系,辐照实验对表征模型正确性进行了验证.运用噪声变化与辐射剂量的关系,通过低剂量辐照实验可以预测高剂量辐射后光电耦合器退化程度,故可用于评价光电耦合器抗辐射能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
2	何亮	西安电子科技大学技术物理学院	36	212	7.0	14.0
3	包军林	西安电子科技大学微电子学院	43	306	10.0	16.0
4	林丽艳	西安电子科技大学技术物理学院	3	46	3.0	3.0