复合半导体纲米线成功整合在硅晶圆中

• 来源期刊: 功能材料信息
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体纳米线 复合半导体 无缝整合 硅晶圆 太阳能电池 高速数字集成电路 化合物半导体 元素周期表
• 年，卷（期）: gnclxx_2011,（6）
• 页码范围: 52
• 页数: 1页
• 分类号: TB383

摘要

美国科学家开发出一种新技术，首次成功地将复合半导体纳米线整合在硅晶圆上，攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。他们表示，这些细小的纳米线有望带来优质高效且廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。III—V族化合物半导体指元素周期表中的III族与V族元素结合生成的化合物半导体，主要包括镓化砷、磷化铟和氮化镓等，其电子移动率远大于硅的电子移动率，因而在高速数字集成电路上的应用比硅半导体优越，有望用于研制将光变成电或相反的设备，比如高端太阳能电池或激光器等。然而，它们无法与太阳能电池最常见的基座硅无缝整合在一起，因此，限制了它们的应用。