单层膜体吸收与界面吸收研究

• 作者: 丁涛 刘永利 叶晓雯 张锦龙 沈正祥 焦宏飞 王占山 王孝东 程鑫彬 马彬 鲁江涛 鲍刚华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 驻波场理论 光热技术 薄膜吸收 消光系数
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 676-680
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

采用热透镜测量方法进行了SiO2和HfO2单层膜的体吸收与界面吸收分离研究.首先推导了光从薄膜侧及基底侧入射时单层膜内的驻波场分布,给出了单一厚度薄膜分离体吸收和界面吸收的计算方程式以及求解薄膜消光系数的方法.利用电子束蒸发工艺制备了半波长光学厚度(λ=1064 nm)的Si02和HfO2单层膜,通过热透镜的测量数据实际分离了两种薄膜的体吸收和界面总吸收.计算结果表明,对于吸收小至10-4量级的薄膜来说,薄膜的界面吸收相对于体吸收不可忽略;制备HfO2薄膜的体吸收和界面吸收都比SiO2薄膜大.