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摘要:
采用燃烧法制备Sr2SiO4∶Eu2+发光材料.采用X线衍射仪、扫描电镜和荧光光度计对样品的晶体结构、微观形貌和光谱特性进行表征.研究结果表明:退火后样品的晶体结构属于正交晶系的α'-Sr2SiO4,掺杂Eu+对晶体结构没有影响.荧光光谱测试表明:Sr2SiO4∶Eu2+材料的激发和发射光谱均为宽带谱,激发和发射主峰分别为335 nm和493 nm,分别对应于Eu2+的4f7→4f65d1和4f65d1→4f7跃迁.随着点火温度的增加,激发和发射光谱强度均呈先增后降的变化.点火温度750℃时材料的激发和发射峰强度最大.随着Eu2+掺杂量的增加,Sr2SiO4∶Eu2+材料的激发和发射强度均先增大,在掺杂0.01 mol Eu2+时达到最高值,而后随着Eu2+掺杂量的增大,激发和发射峰强度减小.制备的Sr2SiO4∶Eu2发光材料有望用于白光LED领域.
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文献信息
篇名 Sr2SiO4∶Eu2+发光材料的燃烧法制备及其光谱特性
来源期刊 中南大学学报(自然科学版) 学科 化学
关键词 燃烧法 白光LED Sr2SiO4∶Eu2+ 发射光谱 激发光谱
年,卷(期) 2011,(12) 所属期刊栏目 材料科学与工程
研究方向 页码范围 3692-3697
页数 分类号 O644
字数 4342字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈国华 桂林电子科技大学材料科学与工程学院 128 849 15.0 22.0
5 周昌荣 桂林电子科技大学材料科学与工程学院 65 286 9.0 12.0
6 杨云 桂林电子科技大学材料科学与工程学院 14 39 4.0 5.0
7 朱归胜 桂林电子科技大学材料科学与工程学院 24 97 5.0 9.0
8 周希 桂林电子科技大学材料科学与工程学院 1 11 1.0 1.0
9 魏亚楠 桂林电子科技大学材料科学与工程学院 1 11 1.0 1.0
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