SiGe HBT射频噪声模型研究

• 作者: 王军 辛金锋
• 来源期刊: 通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅锗异质结双极型晶体管 空间电荷区 非准静态 噪声模型
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 其他
• 页码范围: 116-117,120
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 1557字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0802.2011.10.041

摘要

对现代的双极型晶体管而言,载流子在基极和集电极的空间电荷区(CB SCR)传输延迟可比基极渡越时间,甚至要大于后者.为了更精确地表征了SiGe HBT的射频噪声性能,对van Vliet模型做了扩展,使其包含基极集电极空间电荷区的延迟效应.用2个与噪声相关的延迟时间对transport模型进行了扩展,使得在没有非准静态Y参数的情况下仍然可以对基极和集电极电流噪声进行精确建模.最后,在Jc=12.2 mA/μm2,AE=0.12x18 μm2条件下,分别对2种模型的基极和集电极噪声电流谱及其归一化相关系数做图并与计算得出的解析值相比较,验证了模型的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王军	西南科技大学信息工程学院	47	152	6.0	9.0
2	辛金锋	西南科技大学信息工程学院	1	0	0.0	0.0