XF3(X=N,P,As)价层电离势的运动方程耦合团簇理论计算

• 作者: 周学平 唐海燕 程新路 陈恒杰
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: XF3(X=N,P,As) 垂直电离势 运动方程耦合团簇理论
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 244-249
• 分类号: O641.1
• 语种: 中文

摘要

采用运动方程单双取代耦合团簇理论(EOM-CCSD)对XF3(X=N,P,As)的价层垂直离势(VIP)进行了系统计算,同时对称匹配团簇组态相互作用(SAC-CI)、外价层格林函数(OVGF)以及部分三阶近似(P3)方法也被应用到目前计算.与已有的实验结果比较表明:EOM-CCSD计算的价层垂直电离势整体上与SAC-CI结果相近,而优于OVGF和P3理论结果,在整个价层上,EOM-CCSD结果与实验值总体差距约0.2 eV,在外价层这种差距相对较小,在内价层则有所增大.随基组增大EOM-CCSD计算得到的第一电离势与实验值差距迅速减小,约0.03 eV.根据SAC-CI,OVGF,P3和EOM-CCSD对NF3和PF3计算结果,判断AsF3第一电离势约为12.8 eV,而非12.3 eV,同时给出AsF3的价层电离势依次为12.64,15.23,16.30.17.37,18.05,21.98 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程新路	四川大学原子与分子物理研究所	174	597	12.0	14.0
2	唐海燕	重庆科技学院数理学院	19	61	5.0	7.0
3	陈恒杰	重庆科技学院数理学院	25	36	3.0	4.0
4	周学平		3	3	1.0	1.0