多晶SiGe栅量子阱pMOSFET阈值电压模型

• 作者: 屈江涛 张鹤鸣 王冠宇 王晓艳 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶SiGe栅 寄生沟道 量子阱沟道 阈值电压
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 789-795
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

本文基于多晶SiGe栅量子阱SiGe pMOSFET器件物理,考虑沟道反型时自由载流子对器件纵向电势的影响,通过求解泊松方程,建立了p+多晶SiGe栅量子阱沟道pMOS阈值电压和表面寄生沟道开启电压模型.应用MATLAB对该器件模型进行了数值分析,讨论了多晶Si1-yGey栅Ge组分、Si1-xGex量子阱沟道Ge组分、栅氧化层厚度、Si帽层厚度、沟道区掺杂浓度和衬底掺杂浓度对量子阱沟道阈值电压和表面寄生沟道开启电压的影响,获得了抑制表面寄生沟道开启的途径.模型所得结果与文献报道结果及ISE仿真结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	王晓艳	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	12	52	4.0	6.0
4	王冠宇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	12	48	5.0	6.0
5	屈江涛	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	3	15	3.0	3.0