半导体Si载流子迁移率的统计模型计算模拟

• 作者: 周克省 易图林 罗衡 胡照文 邓联文 黄生祥
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体si 载流子迁移率 玻耳兹曼方程 计算模拟
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 112-115
• 分类号: TN373
• 字数: 2959字
• 语种: 中文

摘要

半导体材料栽流子迁移率是表征其电导特性的重要参数,在半导体材料载流子散射机制理论基础上,基于玻耳兹曼方程和Mathiessen规则,通过对具有不同热运动速度的载流子漂移速度求统计平均值,建立了Si材料栽流子迁移率的玻耳兹曼统计模型.计算了模拟载流子迁移率的影响因素和变化规律,并得出电场作用下的饱和漂移速度为-Vdn=1.1×107cm/s, -Vdn=8.7×106cm/s,与基于实验数据的经验公式导出的结果基本一致,表明玻耳兹曼统计模型具有良好的适用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周克省	中南大学物理科学与技术学院粉末冶金国家重点实验室	77	947	12.0	28.0
2	黄生祥	中南大学物理科学与技术学院粉末冶金国家重点实验室	34	139	7.0	10.0
3	邓联文	中南大学物理科学与技术学院粉末冶金国家重点实验室	60	206	7.0	8.0
4	胡照文	中南大学物理科学与技术学院粉末冶金国家重点实验室	28	340	7.0	18.0
5	罗衡	中南大学物理科学与技术学院粉末冶金国家重点实验室	17	27	3.0	4.0
6	易图林	空军雷达学院理学院	6	10	2.0	3.0