表面态对碳纳米管场发射的影响

• 作者: 杜声玖 王蜀霞 贺叶露 陈伟中 陈西浩
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 吸附 场发射 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 64-66,89
• 分类号: TB383
• 字数: 2229字
• 语种: 中文

摘要

采用CVD法在Ni丝上直接沉积碳纳米管,并应用二极管结构测试表面态(突出尖端和吸附)对碳纳米管场发射的影响.测试表明,突出尖端主要影响碳纳米管场发射的开启电场以及场发射电流稳定性;吸附作用的影响表现在改变碳纳米管能带结构进而改变其场发射性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王蜀霞	重庆大学数理学院应用物理系	26	122	6.0	9.0
2	陈伟中	重庆大学数理学院应用物理系	3	8	2.0	2.0
3	贺叶露	重庆大学数理学院应用物理系	4	10	2.0	3.0
4	陈西浩	重庆大学数理学院应用物理系	2	6	1.0	2.0
5	杜声玖	重庆大学数理学院应用物理系	4	16	2.0	4.0