集成PMOS管变容特性分析与仿真建模

• 作者: 张威虎 曹新亮
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: PMOS管 准静态曲线 特性曲线 高频特性模型 变容模型
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计
• 页码范围: 183-185,188
• 分类号: TN386-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2011.12.055

摘要

为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真,在分析MOS变容管特性的基础上,通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型.选用Charted0.35μm这个特定的工艺库,并离散地改变电容连接的PMOS静态偏压、用HSpice仿真并对寄生电容提取后描绘出变容特性的准静态曲线;用Matlab对所建的简化高频变容模型进行仿真、得出高频变容曲线.仿真与理论结果相比较表明:PMOS管变容特性曲线与理论曲线的变化趋势吻合;2种仿真对变容显著区吻合较好.从而证明了PMOS集成变容管高频简化模型的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张威虎	延安大学物理与电子信息学院	71	256	8.0	12.0
2	曹新亮	延安大学物理与电子信息学院	79	173	6.0	11.0