原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
为了增加存储器测试的可控性和可观测性,减少存储器测试的时间和成本开销,在此针对LEON处理器中的32位宽的SRAM进行BIST设计.采用March C+算法,讨论了SRAM的故障模型及BIST的实现.设计的BIST电路可以与系统很好的相连,并且仅增加很少的输入/输出端口.仿真结果证明,BIST的电路的加入在不影响面积开销的同时,能够达到很好的故障覆盖率.
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文献信息
篇名 基于March C+算法的SRAM BIST设计
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 SRAM BIST March C+算法 故障模型
年,卷(期) 2011,(10) 所属期刊栏目 集成电路设计
研究方向 页码范围 149-151
页数 分类号 TN402-34
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-373X.2011.10.046
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴武臣 北京工业大学集成电路与系统集成实验室 54 459 12.0 18.0
2 侯立刚 北京工业大学集成电路与系统集成实验室 75 360 11.0 15.0
3 张志超 北京工业大学集成电路与系统集成实验室 4 25 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
SRAM
BIST
March C+算法
故障模型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
总下载数(次)
0
总被引数(次)
135074
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