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摘要:
射频功率放大器是无线设备的关键器件,GaAs工艺被广泛使用在射频功放的设计制造上.而CMOS工艺在生产成熟度和成本上有很大优势,主要关注用CMOS工艺来做射频功放的问题,介绍世界上第一颗量产的CMOS功放及其所使用的特殊技术.利用一款成熟的手机产品,替换这颗功放及外围器件,最后与原产品进行对比测试.
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内容分析
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文献信息
篇名 CMOS工艺射频功率放大器的实现与验证
来源期刊 信息技术 学科 工学
关键词 射频功率放大器 GaAs工艺 CMOS工艺
年,卷(期) 2011,(10) 所属期刊栏目 研究与探讨
研究方向 页码范围 80-84
页数 分类号 TN722
字数 4027字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1009-2552.2011.10.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 谢君 上海交通大学微电子学院 2 10 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
射频功率放大器
GaAs工艺
CMOS工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
信息技术
月刊
1009-2552
23-1557/TN
大16开
哈尔滨市南岗区黄河路122号
14-36
1977
chi
出版文献量(篇)
11355
总下载数(次)
31
总被引数(次)
47901
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