Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管抗辐射特性的研究

• 作者: 张林 程鸿亮 肖剑 邱彦章
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 肖特基 辐照 偏压
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 545-549
• 分类号: TN311.7
• 语种: 中文

摘要

本文采用γ射线、高能电子和中子对Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的抗辐射特性进行了研究.研究发现对于γ射线和1 MeV电子辐照,-30 V辐照偏压对器件的辐照效应没有明显的影响.经过1 Mrad(si)的γ射线或者1×1013 n/cm2的中子辐照后,Ti/4H-SiC肖特基接触都没有明显退化;经过3.43×1014e/cm2的1 MeV电子辐照后Ti/4H-SiC的势垒高度比辐照前轻微下降,这是由于高能电子引入的电离损伤造成的,且可以在常温下退火恢复.分别经过1 Mrad(Si)的γ射线和3.43×1014 e/cm2的电子辐照后,器件反向电流的变化都比较轻微,显示了良好的抗辐射特性.实验同时还发现电子和中子辐照会造成器件串联电阻增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张林	长安大学电子与控制工程学院长安大学道路交通检测与装备工程技术研究中心	36	203	8.0	13.0
2	邱彦章	长安大学电子与控制工程学院长安大学道路交通检测与装备工程技术研究中心	22	68	6.0	7.0
3	程鸿亮	长安大学电子与控制工程学院长安大学道路交通检测与装备工程技术研究中心	5	57	4.0	5.0
4	肖剑	长安大学电子与控制工程学院长安大学道路交通检测与装备工程技术研究中心	12	34	4.0	5.0