金属/多孔硅/单晶硅(M/PS/Si)微结构的电学特性

• 作者: 刘博 孙凤云 孙鹏 胡明 许路加
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: M/PS/Si微结构 孔隙率 I-V特性 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 674-680
• 分类号: TN304.12
• 语种: 中文

摘要

采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成金属电极,制备出M/PS/Si微结构.利用SEM分析多孔硅的表面形貌,通过测试其I-V特性分析M/PS/Si微结构的电学特性.结果表明:由Pt做电极形成的M/PS/Si结构,表现出非整流特性.M/PS/Si结构的I-V曲线由线性区和非线性区组成,多孔硅孔隙率越高的M/PS/Si结构的I-V特性曲线线性区越宽.由Cu做电极形成的M/PS/Si结构,表现出整流特性.其整流比随多孔硅孔隙率增加而减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙凤云	天津大学电子信息工程学院	5	36	4.0	5.0
2	胡明	天津大学电子信息工程学院	139	1336	19.0	28.0
3	刘博	天津大学电子信息工程学院	27	243	9.0	15.0
4	孙鹏	天津大学电子信息工程学院	12	165	7.0	12.0
5	许路加	天津大学电子信息工程学院	3	8	2.0	2.0