反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究

• 作者: 丁召 何浩 周勋 杨再荣 罗子江 贺业全 邓朝勇 韦俊
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 反射式高能电子衍射 表面重构 温度校准
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 479-483
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文

摘要

以反射式高能电子衍射(RHEED)作为实时监测工具,根据GaAs(100)表面重构相与衬底温度、As4等效束流压强之间的关系,对分子束外延(MBE)系统中衬底测温系统进行了校准,这种方法也适用于其他的MBE系统.为生长高质量的外延薄膜材料、研究InGaAs表面粗糙化及相变等过程提供了实验依据.