GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长

• 作者: 姚然 李志聪 梁萌 王兵 王国宏 闫发旺
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓基 LED Al组分 电子阻挡层
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 473-478
• 分类号: O471
• 语种: 中文

摘要

本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度、压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用.研究发现,Al组分介于10%-30%之间能够很好地将电子限定在量子阱区域并保持高的材料晶体质量.发展了一种新的生长技术来克服p-AlGaN层掺入效率低下和空穴注入不足的问题.优化条件下生长的p型AlGaN电子阻挡层很大地提升了InGaN/GaN基LED的输出光功率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王兵	中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心	106	880	14.0	24.0
2	王国宏	中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心	41	1911	17.0	41.0
3	姚然	中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心	10	44	4.0	6.0
4	梁萌	中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心	5	64	3.0	5.0
5	李志聪	中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心	1	3	1.0	1.0
6	闫发旺	中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心	1	3	1.0	1.0