一种S波段宽带GaN放大器的设计

• 作者: 吕春明 张永慧 汪邦金
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: GaN 平坦度 仿真设计 宽禁带 半导体 功率放大器
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 196-198
• 分类号: TN710-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2011.10.061

摘要

氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点,使其具有带宽宽,高效特性等优点.为了研究GaN功率放大器的特点,使用了Agilent ADS等仿真软件,进行电路仿真设计,设计制作了一种S波段宽带GaN功率放大器.详述了电路仿真过程,并对设计的宽带GaN功率放大器进行测试,通过测试的实验数据表明,设计的宽带放大器在S波段宽带内可实现功率超过44 dBm的功率输出,验证了GaN功率放大器具有宽带的特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪邦金	中国电子科技集团第38研究所微波部	7	40	4.0	6.0
2	张永慧	中国电子科技集团第38研究所微波部	5	35	3.0	5.0
3	吕春明	中国电子科技集团第38研究所微波部	5	28	2.0	5.0