TiO2分子在GaN（0001）表面吸附的理论研究

• 作者: 杨春 黄平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: GaN(0001)表面 TiO2分子 密度泛函理论 吸附
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 530-535
• 分类号: O647.3
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,计算了TiO2分子在GaN（0001）表面的吸附成键过程、吸附能量和吸附位置.计算结果表明不同初始位置的TiO2分子吸附后,Ti在fcc或hcp位置,两个O原子分别与表面两个Ga原子成键,Ga—O化学键表现出共价键特征,化学结合能达到7.932—7.943eV,O—O连线与GaN[110]方向平行,与实验观测（100）[001]TiO2//（0001）[110]GaN一致.通过动力学过程计算分析,TiO2分子吸附过程经历了物理吸附、化学吸附与稳定态形成的过程,稳定吸附结构和优化结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨春	四川师范大学可视化计算与虚拟现实四川省重点实验室	89	760	14.0	24.0