不同掺杂元素对GaN基材料发光性能影响研究进展

• 作者: 李天保 梁建 许并社 赵君芙 邵桂雪
• 来源期刊: 科技导报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN IIA族金属掺杂 过渡族掺杂 稀土掺杂 光致发光
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 综述文章
• 页码范围: 76-79
• 分类号: TN304
• 字数: 869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3981/j.issn.1000-7857.2011.09.013

摘要

由于GaN材料本身具有的极大优越性,如大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率、高异质结界面二维电子气浓度等,决定了GaN基材料及其器件在发光半导体材料领域中的重要地位,而高质量GaN的掺杂制备一直是研究者关注的热点.本文根据近几年国内外对掺杂GaN基材料的研究成果,总结概括了IIA族、过渡族以及稀土族元素对GaN的掺杂,分析讨论了不同掺杂元素对GaN基材料发光性能的影响,并以Mg掺杂GaN为例,对比了各种掺杂技术的优缺点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许并社	太原理工大学材料科学与工程学院新材料界面科学与工程教育部重点实验室	335	3432	28.0	45.0
2	梁建	太原理工大学材料科学与工程学院新材料界面科学与工程教育部重点实验室	25	211	8.0	14.0
3	赵君芙	太原理工大学材料科学与工程学院新材料界面科学与工程教育部重点实验室	21	131	5.0	10.0
4	李天保	太原理工大学材料科学与工程学院新材料界面科学与工程教育部重点实验室	22	187	9.0	13.0
5	邵桂雪	太原理工大学材料科学与工程学院新材料界面科学与工程教育部重点实验室	3	6	2.0	2.0