烧结温度对包混/复合添加工艺制备多孔SiC陶瓷性能的影响

• 作者: 刘中国 张凯红 李自强 杨阳 赵宏生
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 多孔陶瓷 烧结温度 包混 复合添加
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 40-42
• 分类号: TQ17
• 字数: 1820字
• 语种: 中文

摘要

采用包混工艺合成了核壳结构的先驱体粉体,并引入一定量Al2O3、SiO2和Y2O3复合添加剂,通过成型、炭化和烧结工艺制备了多孔碳化硅陶瓷;分析了样品的物相、表面形貌、孔隙率、热导率、热膨胀系数、抗弯强度和抗热震性能.结果表明,在较低的烧结温度下制得了多孔碳化硅陶瓷,在1650℃烧结的多孔碳化硅陶瓷综合性能较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李自强	清华大学核能与新能源技术研究院	17	113	7.0	10.0
2	杨阳	清华大学核能与新能源技术研究院	31	190	8.0	12.0
3	赵宏生	清华大学核能与新能源技术研究院	33	285	10.0	15.0
4	刘中国	清华大学核能与新能源技术研究院	3	20	2.0	3.0
5	张凯红	清华大学核能与新能源技术研究院	8	80	4.0	8.0