过渡金属( Mn2+、Ni2+、Fe3+、Cu2+)掺杂ZnO基稀磁半导体的制备及性质

• 作者: 周木 夏川茴 殷鹏飞 韩向宇
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO基稀磁半导体 溶液腐蚀法 光学性质 磁性
• 年，卷（期）: 2011,（14）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 11-15,23
• 分类号: TB332
• 字数: 4152字
• 语种: 中文

摘要

利用溶液腐蚀法制备了Mn2+、Ni2+、Fe3+、Cu2+离子掺杂的ZnO基稀磁半导体.XRD表明掺杂后的ZnO仍然保持单一的纤锌矿结构,没有任何杂质相产生.由紫外-可见光反射谱可知掺杂后吸收边发生了红移.掺杂前ZnO的带隙为3.20eV,对样品分别掺入Mn、Ni、Fe和Cu后的带隙分别为3.19eV、3.15eV、3.08eV和3.17eV.掺杂后样品的室温PL谱除了紫外发射峰外,对于Mn掺杂的样品还在蓝光区域出现了2个分别位于424nm和443nm的发射峰,Fe掺杂的样品出现了一个位于468nm的微弱发射峰,Cu掺杂的样品出现了位于469nm及535nm的很宽的发射峰.室温磁滞回线显示掺杂后样品有明显的铁磁性,掺入Mn、Ni、Fe和Cu样品的剩余磁化强度(Ms)分别为0.3902×10-3 emu/cm3、0.454emu/cm3、0.372emu/cm3和0.962×10-3emu/cm3,矫顽力分别为47Oe、115.92Oe、99.33Oe和23Oe.经分析室温铁磁性来源于缺陷调制的Mn2+-Mn2+长程铁磁交换相互作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏川茴	重庆交通大学理学院	12	38	3.0	5.0
2	周木	重庆交通大学理学院	7	30	3.0	5.0
3	韩向宇	重庆交通大学理学院	6	15	2.0	3.0
4	殷鹏飞	重庆交通大学理学院	11	13	2.0	3.0