负电子亲和势GaN真空面电子源研究进展

• 作者: 乔建良 常本康 徐源 王晓晖 钱芸生 高频
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: NEA GaN 电子源 光谱响应
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 前沿领域综述
• 页码范围: 850-856
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文

摘要

结合国内和国外的最新研究成果,论述了目前在NEAGaN真空面电子源研究方面的现状.从光电发射理论、表面净化方法、阴极激活工艺、光谱响应测试以及材料本身特性等方面针对GaN真空电子源的研究取得了一定成绩：初步研究了NEAGaN电子源的光电发射机理;给出了可获得原子级清洁表面的净化方法;采用Cs或Cs/O对GaN材料进行了有效激活;测试了GaN真空电子源材料的光谱响应;探讨了影响电子源量子效率的材料特性.指出了下一步研究需要关注的内容.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱芸生	南京理工大学电子工程与光电技术学院	86	807	13.0	24.0
2	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
3	高频	南京理工大学电子工程与光电技术学院	12	88	6.0	9.0
4	王晓晖	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	92	6.0	8.0
5	徐源	南京理工大学电子工程与光电技术学院	11	23	3.0	4.0