Co掺杂纳米ZnO微结构的正电子湮没研究

• 作者: 王丹丹 王元为 王栋 祁宁 陈志权
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 界面缺陷 正电子湮没
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 699-704
• 分类号: TB383
• 语种: 中文

摘要

利用正电子湮没技术研究了10at.%Co掺杂的Co3O4/ZnO纳米复合物中退火对缺陷的影响.利用X射线衍射（XRD）测量了Co3O4/ZnO纳米复合物的结构和晶粒尺寸.随着退火温度升高,Co3O4相逐步消失,ZnO晶粒尺寸也有显著增加.经过1000℃以上退火后,Co3O4相完全消失,并出现了CoO的岩盐结构.正电子湮没寿命测量显示出Co3O4/ZnO纳米复合物中存在大量的Zn空位和空位团.这些空位缺陷可能存在于纳米复合物的界面区域.当退火温度达到700℃后Zn空位开始恢复,空位团也开始收缩.900℃以上退火后,所有空位缺陷基本消失,正电子寿命接近ZnO完整晶格中的体态寿命值.符合多普勒展宽谱测量也显示Co3O4/ZnO纳米复合物经过900℃以上退火后电子动量分布与单晶ZnO基本一致,表明界面缺陷经过退火后得到消除.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈志权	武汉大学物理科学与技术学院核固体物理湖北省重点实验室	12	28	4.0	4.0
2	王栋	武汉大学物理科学与技术学院核固体物理湖北省重点实验室	19	139	5.0	11.0
3	祁宁	武汉大学物理科学与技术学院核固体物理湖北省重点实验室	7	11	2.0	2.0
4	王元为	武汉大学物理科学与技术学院核固体物理湖北省重点实验室	1	2	1.0	1.0
5	王丹丹	武汉大学物理科学与技术学院核固体物理湖北省重点实验室	9	53	3.0	7.0