新型高可靠性低功耗6管SRAM单元设计

• 作者: 张立军 李少君 王媛媛 王子欧
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 静态噪声容限 漏电流 低功耗 可靠性
• 年，卷（期）: 2011,（16）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计
• 页码范围: 123-125,130
• 分类号: TN911-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2011.16.038

摘要

提出一种新型的6管SRAM单元结构,该结构采用读/写分开技术,从而很大程度上解决了噪声容限的问题,并且该结构在数据保持状态下,采用漏电流以及正反馈保持数据,从而不需要数据的刷新来维持数据.仿真显示了正确的读/写功能,并且读/写速度和普通6管基本相同,但是比普通6管SRAM单元的读/写功耗下降了39%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王媛媛	苏州大学电子信息学院	6	19	3.0	4.0
2	王子欧	苏州大学电子信息学院	20	58	4.0	6.0
3	张立军	苏州大学电子信息学院	18	38	3.0	5.0
4	李少君	苏州大学电子信息学院	1	11	1.0	1.0