东莞市中镓半导体科技有限公司

• 来源期刊: 广东科技
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带半导体 东莞市 氮化镓 MOCVD技术 科技 国家发明专利 衬底材料 批量生产
• 年，卷（期）: 2011,（13）
• 所属期刊栏目: 专题
• 页码范围: 46-46
• 分类号: TN304.23
• 字数: 628字
• 语种: 中文

摘要

东莞市中镓半导体科技有限公司总部设于广东东莞,以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托,并于2009年成功引进该研究中心为我公司的创新科研团队。我公司成为国内首家专业生产氮化镓（GaN）衬底材料以及开发相关技术的企业。公司拥有多项核心国家发明专利及国际发明专利,创造性地将MOCVD技术、激光剥离技术和HVPE技术相结合,成功开发出了高品质的GaN衬底系列产品,该系列产品及相关设备已批量生产及销售,主要