Research on high-voltage 4H-SiC P-i-N diode with planar edge junction termination techniques

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篇名	Research on high-voltage 4H-SiC P-i-N diode with planar edge junction termination techniques
来源期刊	中国物理B（英文版）	学科
关键词	silicon carbide P-i-N diode junction termination technique simulation breakdown voltage
年，卷（期）	2011,（6）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	366-371
页数	6页	分类号
字数		语种	英文
DOI	10.1088/1674-1056/20/6/067102

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