含有本征SiGe层的SiGe异质结双极晶体管集电结耗尽层宽度模型

• 作者: 宋建军 宣荣喜 屈江涛 张鹤鸣 秦珊珊 胡辉勇 舒钰
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 集电结耗尽层 延迟时间
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 602-608
• 分类号: TN322.8
• 语种: 中文

摘要

本文分别建立了含有本征SiGe层的SiGe HBT(异质结双极晶体管)集电结耗尽层各区域的电势、电场分布模型,并在此基础上,建立了集电结耗尽层宽度和延迟时间模型,对该模型进行了模拟仿真,定量地分析了SiGe HBT 物理、电学参数对集电结耗尽层宽度和延迟时间的影响,随着基区掺杂浓度和集电结反偏电压的提高,集电结耗尽层延迟时间也随之增大,而随着集电区掺杂浓度的提高和基区Ge组分增加,集电结耗尽层延迟时间随之减小.