不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层对双波长LED作用的研究

• 作者: 张运炎 范广涵
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 掺杂类型 数值模拟 双波长发光二极管
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 776-781
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文

摘要

采用软件理论分析的方法对不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对发光光强、内量子效率、电子空穴浓度分布、溢出电流等作用进行模拟分析.分析结果表明,p型掺杂的GaN间隔层与量子阱垒层的引入同不掺杂和n型掺杂两种类型比较,可以大大减少溢出电子流,极大地提高各量子阱内空穴浓度,提高双波长发光二极管的发光强度,极大的改善内量子效率随电流增大而下降问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	张运炎	华南师范大学光电子材料与技术研究所	8	34	4.0	5.0