不同折射率对N型单晶硅太阳电池电性能的影响

• 作者: 崔景光 李永超
• 来源期刊: 科技风
• 学科: 物理学
• 关键词: 单晶硅 太阳电池 PECVD 氮化硅 折射率
• 年，卷（期）: 2011,（17）
• 所属期刊栏目: 应用科技
• 页码范围: 83-83
• 分类号: O435.1
• 字数: 1427字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7341.2011.17.076

摘要

用等离子增强化学气相沉积（PECVD）法,通过改变[SiH4]/[NH3：H2]的流量比沉积氮化硅薄膜。用椭偏仪测量氮化硅薄膜的厚度、折射率。研究了N型单晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的电性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李永超		1	6	1.0	1.0
2	崔景光		2	7	1.0	2.0