GaAs真空电子源衰减模型研究

• 作者: 常本康 张益军 杨智 邹继军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子源 X射线光电子能谱 衰减模型 真空度
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 720-725
• 分类号: O472.4
• 语种: 中文

摘要

利用X射线光电子能谱(XPS)仪对激活后的GaAs真空电子源进行了随时间衰减变化的XPS分析,分析发现了电子源阴极表面各元素百分含量随时间的变化,揭示了杂质气体吸附造成的偶极矩方向的改变是电子源灵敏度显著下降的主要原因.基于上述结论,通过分析真空系统中杂质气体的吸附过程,推导并得到了GaAs电子源衰减模型.该模型从理论上揭示了GaAs电子源的指数衰减规律以及寿命与真空度的反比关系,与实验现象完全一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	杨智	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	157	8.0	12.0
3	张益军	南京理工大学电子工程与光电技术学院	28	105	6.0	8.0