退火对非故意掺杂4H-SiC外延材料386nm和388nm发射峰的影响

• 作者: 张义门 张玉明 程萍
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 退火处理 能级 4H-SiC
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 539-542
• 分类号: O472.3
• 语种: 中文

摘要

10 K条件下,采用光致发光(PL)技术研究了不同退火处理后非故意掺杂4H-SiC外延材料的低温PL特性.结果发现,在370-400 nm范围内出现了三个发射峰,能量较高的峰约为3.26 eV,与4H-SiC材料的室温禁带宽度相当.波长约为386 nm和388 nm的两个发射峰分别位于-3.21 eV和～3.19 eV,与材料中的N杂质有关.当退火时间为30 min时,随退火温度的升高,386 nm和388 nm两个发射峰的PL强度先增加后减小,且退火温度为1573 K时,两个发射峰的PL强度均达到最大.退火温度为1573 K时,随着退火时间的延长,PL结果与30 min退火的变化趋势一致.相同的退火条件下,386 nm和388 nm两个发射峰的低温PL结果与材料中本征缺陷的PL结果一致,是它们微扰势相互作用的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	程萍	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	11	2.0	3.0