射频激发热丝化学气相沉积制备硅薄膜过程中光发射谱的研究

• 作者: 刘丰珍 朱美芳 李天微
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: HWCVD OES 微晶硅
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 742-748
• 分类号: O484.41
• 语种: 中文

摘要

采用射频(rf)激发,在热丝化学气相沉积(HWCVD)制备微晶硅薄膜的过程中产生发光基元,测量了rf激发HWCVD(rf-HWCVD)的光发射谱,比较了相同工艺条件下rf-HWCVD和等离子体增强CVD(PECVD)的光发射谱,分析了rf功率、热丝温度和沉积气压对rf-HWCVD光发射谱的影响.结果表明,在射频功率<0.1W/cm1时,rf-HWCVD发射光谱反映了HWCVD高的气体分解效率和高浓度原子氢的特点,能够解释气压变化与微晶硅薄膜微结构的关系,是研究HWCVD气相过程的有效方法之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丰珍	中国科学院研究生院材料学院	17	105	4.0	10.0
2	朱美芳	中国科学院研究生院材料学院	11	98	4.0	9.0
3	李天微	中国科学院研究生院材料学院	1	2	1.0	1.0