纳米尺度MOSFET过剩噪声的定性分析

• 作者: 唐冬和 杜磊 王婷岚 陈华 陈文豪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 散粒噪声 过剩噪声 纳米尺度MOSFET
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 568-572
• 分类号: O511
• 语种: 中文

摘要

最近实验表明纳米尺度MOSFET中的过剩噪声主要为散粒噪声,而此前研究认为MOSFET中不存在散粒噪声,短沟道MOSFET中的过剩噪声为热噪声.本文基于器件电流模型分析散粒噪声取代热噪声成为过剩噪声主要成分的转变条件,根据该条件对纳米尺度MOSFET噪声特性的预测与文献报道的实验现象、模拟结果以及介观散粒噪声相关结论相符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
2	陈华	西安电子科技大学技术物理学院	17	68	5.0	8.0
3	陈文豪	西安电子科技大学技术物理学院	15	128	6.0	11.0
4	唐冬和	西安电子科技大学技术物理学院	4	23	3.0	4.0
5	王婷岚	西安电子科技大学技术物理学院	4	56	4.0	4.0