位移损伤剂量法评估空间GaAs/Ge太阳电池辐照损伤过程

• 作者: 何世禹 吴宜勇 岳龙 张忠卫 杨德庄 王训春 肖景东 胡建民 蓝慕杰 钱勇 陈鸣波
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAs/Ge太阳电池 辐照损伤 带电粒子 位移损伤剂量
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 页码范围: 723-732
• 分类号: O346.5
• 语种: 中文

摘要

本文针对GaAs/Ge太阳电池,利用位移损伤剂量法研究了其在轨服役条件下的性能退化行为.首先在地面模拟辐照环境中,试验获得了在不同能量的电子和质子辐照下的电池性能随辐照注量的退化行为.基于上述实验结果以及计算获得的带电粒子在电池中的非电离能量损失（NIEL）获得了不同能量电子辐照位移损伤的等效指数n为1.7,电子损伤剂量转化为质子损伤剂量等效系数为5.2,并进一步建立了电池性能随位移损伤剂量的退化方程.利用该方法对国产GaAs/Ge太阳电池在500,22000和36000km轨道带电粒子辐照条件下电性能退化行为以及不同厚度玻璃盖片对电池损伤的防护效果进行了评价.