Si（100）表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用

• 作者: 亓东峰 李成 潘书万 赖虹凯 陈松岩 黄巍
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 硒 钝化 欧姆接触 热稳定性
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 页码范围: 712-716
• 分类号: O613.72
• 语种: 中文

摘要

本文采用分子束外延（MBE）系统在Si（100）表面淀积Se薄膜.通过控制衬底和固态Se束源炉的温度,实现了Se材料在Si（100）表面上的自限制超薄薄膜生长;在Se超薄层钝化的Si（100）表面上制备的Ti金属电极具有低的欧姆接触电阻特性,且热稳定性温度提升至400℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈松岩	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	68	248	8.0	12.0
2	赖虹凯	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	17	32	3.0	5.0
3	李成	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	45	140	7.0	11.0
4	黄巍	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	11	9	2.0	2.0
5	潘书万	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	1	4	1.0	1.0
6	亓东峰	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	1	4	1.0	1.0