张应力对准同形相界Pb（Zr,Ti）O_3薄膜相变和铁电性能影响

• 作者: 于军 周文利 王耘波 闻心怡 高俊雄
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: PZT 准同形相界 掠射扫描方式 结构精修
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 页码范围: 641-649
• 分类号: TN29
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法在Pt/TiOx/SiO2/Si基片上制备了以BaPbO3（BPO）为缓冲层的Pb（Zr0.52,Ti0.48）Nb0.04O3（Nb掺杂PZT,PZTN）薄膜.通过调整BPO层厚度,为该PZTN薄膜引入了不同的张应力.当BPO层厚度分别为68nm和135nm时,PZTN薄膜呈现随机取向,采用2θ-sin2ψ法测得薄膜的张应力为0.786和0.92GPa.电学测试表明,张应力较大的PZTN薄膜具有更好的铁电和漏电流性能.当PZTN薄膜张应力为0.786GPa时,剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为41.2μC/cm2和70.7kV/cm,在＋5V下漏电流密度分别为6.57×10-7A/cm-2;而当张应力增为0.92GPa时,剩余极化Pr增为44.1μC/cm2,矫顽场Ec减为58.1kV/cm,＋5V下漏电流密度为5.54×10-8A/cm-2.以掠射方式对两种PZTN薄膜做精细扫描,并结合结构精修进一步分析,分析表明张应力较大的PZTN薄膜中单斜相成份较多,这可能是其铁电性能更加优异的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中科技大学电子科学与技术系	103	537	11.0	16.0
2	王耘波	华中科技大学电子科学与技术系	68	398	10.0	16.0
3	高俊雄	华中科技大学电子科学与技术系	44	248	8.0	13.0
4	周文利	华中科技大学电子科学与技术系	29	80	5.0	6.0
5	闻心怡	华中科技大学电子科学与技术系	3	1	1.0	1.0