基于0.5μm CMOS工艺的一款新型BiCMOS集成运算放大器设计

• 作者: 赵俊霞 陆雅明
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: BiCMOS 运算放大器 版图 VLSL
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计
• 页码范围: 142-144
• 分类号: TN433-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2011.02.043

摘要

为了提高运算放大器的驱动能力,依据现有CMOS集成电路生产线,介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计,探讨BiCMOS工艺的特点.在S-Edit中进行"BiCMOS运放设计"电路设计,并对其电路各个器件参数进行调整,包括MOS器件的宽长比和电容电阻的值.完成电路设计后,在T-spice中进行电路的瞬态仿真,插入CMOS,PNP和NPN的工艺库,对电路所需的电源电压和输入信号幅度和频率进行设定调整,最终在W-Edit输出波形图.在MCNC 0.5μm工艺平台上完成由MOS、双极型晶体管和电容构成的运算放大器版图设计.根据设计的版图,设计出BiCMOS相应的工艺流程,并提取各光刻工艺的掩模版.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵俊霞		23	12	2.0	2.0
2	陆雅明		1	0	0.0	0.0