离子束溅射自组装Ge/Si量子点生长的演变

• 作者: 张学贵 李亮 杨宇 杨杰 王茺 鲁植全
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子束溅射 量子点 表面形貌 Raman光谱
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 页码范围: 480-486
• 分类号: O471
• 语种: 中文

摘要

采用离子束溅射技术,通过改变Ge的沉积量,在n型Si（100）衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品.利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,系统地研究了Ge量子点形貌、密度、尺寸大小以及Ge的结晶性和量子点中组分等随Ge沉积量的演变规律.结果表明：Ge层从二维薄层向三维岛过渡过程中,没有观察到传统的由金字塔形向圆顶形量子点过渡,而是直接呈圆顶形生长;且随着Ge沉积量的增加,量子点密度先增大后减小,Ge的结晶性增强同时Ge/Si互混加剧,量子点中Si的组分增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨杰	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	30	63	4.0	6.0
2	杨宇	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
3	王茺	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
4	李亮	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	9	41	3.0	6.0
5	鲁植全	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	4	24	3.0	4.0
6	张学贵	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	2	18	2.0	2.0