利用湿法刻蚀的方式制备黑硅

• 作者: 吴志明 姜晶 张安元 赵国栋 郭振宇
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 黑硅材料 湿法刻蚀 表面形貌 光吸收率
• 年，卷（期）: 2011,（18）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 133-136
• 分类号: TN304-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2011.18.041

摘要

采用一种简便的方法制备出具有很好光吸收性能的黑硅材料,利用化学气象沉积和光刻的方式在硅片(100)表面形成圆形Si3 N4掩膜,然后采用两种湿法刻蚀相结合方式来制备黑硅材料.首先采用碱刻蚀的方式对硅片进行各向异性刻蚀,刻蚀完成后在硅片表面形成尖锥形貌；后期利用金纳米颗粒作为催化剂,采用酸刻蚀的方式对硅片表面进行改性,在硅片表面形成多孔结构.这种黑硅材料在250～1 000 nm波段的光吸收率可以达到95％以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴志明	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	78	544	13.0	17.0
2	郭振宇	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	12	2.0	2.0
3	姜晶	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	99	4.0	6.0
4	赵国栋	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	6	1.0	2.0
5	张安元	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	6	1.0	1.0