F原子与SiC（100）表面相互作用的分子动力学模拟

• 作者: 吕晓丹 宁建平 秦尤敏 苟富均 贺平逆 赵成利
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子动力学 刻蚀 能量 SiC
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 页码范围: 474-479
• 分类号: O561.4
• 语种: 中文

摘要

本文采用分子动力学模拟方法研究了F原子（能量在0.5—15eV之间）与表面温度为300K的SiC（100）表面的相互作用过程.考察了不同能量下稳定含F反应层的形成过程和沉积、刻蚀过程的关系以及稳定含F反应层对刻蚀的影响.揭示了低能F原子刻蚀SiC的微观动力学过程.模拟结果表明伴随着入射F原子在表面的沉积量达到饱和,SiC表面将形成一个稳定的含F反应层.在入射能量小于6eV时,反应层主要成分为SiF3,最表层为Si-F层.入射能量大于6eV时,反应层主要成分为SiF.但是由于最表层Si的刻蚀导致表层为C-F层.这个C-F层的形成将阻缓硅的进一步刻蚀.在入射能量小于6eV时,F极难对SiC进行刻蚀.在入射能量达到15eV时,开始出现C的刻蚀.刻蚀率随入射能量增加而增加,主要的刻蚀产物为SiF4,表明Si的刻蚀主要通过化学刻蚀方式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕晓丹	贵州大学等离子体与材料表面作用研究所	15	59	4.0	7.0
2	苟富均	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	12	12	2.0	3.0
3	宁建平	贵州大学等离子体与材料表面作用研究所	6	18	2.0	4.0
4	秦尤敏	贵州大学等离子体与材料表面作用研究所	6	18	2.0	4.0