小尺寸应变Si nMOSFET物理模型的研究

• 作者: 屈江涛 张鹤鸣 徐小波 王晓艳 秦珊珊 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶SiGe栅 高斯定理 阈值电压 速度过冲
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 页码范围: 752-758
• 分类号: O4-4
• 语种: 中文

摘要

本文运用高斯定律得出多晶SiGe栅应变SinMOSFET的准二维阈值电压模型,并从电流密度方程出发建立了小尺寸应变SinMOS器件的I-V特性模型.对所得模型进行计算分析,得出沟道Ge组分、多晶Si1-yGey栅Ge组分、栅氧化层厚度、应变Si层厚度、栅长以及掺杂浓度对阈值电压的影响.运用二维器件模拟器对器件表面势和I-V特性进行了仿真,所得结果与模型仿真结果一致,从而证明了模型的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
2	王晓艳	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	12	52	4.0	6.0
3	屈江涛	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	3	15	3.0	3.0
4	徐小波	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	6	23	3.0	4.0
5	秦珊珊	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	1	4	1.0	1.0