超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究

• 作者: 史同飞 孟祥豪 曹先存 石瑞英 罗代升 苏平 陈昶 马瑶 高博 龚敏
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 空穴浓度 应变弛豫 倒易空间图 准共格
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 576-581
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

稀磁GaMnAs外延膜中的Mn含量会影响外延膜的空穴浓度和应变弛豫.Raman散射研究表明,Mn含量为3%的超薄GaMnAs样品的空穴浓度大于2%样品,4%样品的空穴浓度小于3%样品.应变弛豫理论和高分辨X射线衍射研究表明,Mn含量为2%和3%的超薄GaMnAs外延层分别处于准共格或低弛豫状态,Mn含量为4%的GaMnAs外延层的弛豫度明显大于3%样品的弛豫度.我们认为,准共格或低弛豫度状态对空穴浓度随Mn含量的变化趋势几乎没有影响,较大弛豫度的应变状态将导致样品外延层产生较多缺陷,影响能带结构和能级,引起空穴浓度异常减小.