(001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构

• 作者: 宋建军 张鹤鸣 王冠宇 王晓艳 马建立
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单轴应变硅 K·P法 能带结构
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 552-557
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

首先计算了(001)晶面单轴应变张量,在此基础上采用结合形变势理论的K·P微扰法建立了在(001)晶面内受任意方向的单轴压/张应力作用时,应变硅材料的能带结构与应力(类型、大小)及晶向的关系模型,进而分析了不同单轴应力(类型、大小)及晶向对应变硅材料导带带边、价带带边、导带分裂能、价带分裂能、禁带宽度的影响.研究结果可为单轴应变硅器件应力及晶向的选择设计提供理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	102	510	12.0	16.0
2	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	36	204	9.0	12.0
3	王晓艳	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	12	52	4.0	6.0
4	王冠宇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	12	48	5.0	6.0
5	马建立	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	29	3.0	5.0