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摘要:
基于次级电子倍增动力学模型和次级电子发射曲线,运用蒙特卡罗方法模拟电介质表面具有纵向射频电场作用下的单边次级电子倍增现象,研究次级电子倍增的表面电场敏感曲线和时间演化图像.以一个S波段射频介质窗为例,计算次级电子在其介质表面的沉积功率.结果表明,纵向射频电场可能加剧电介质表面的次级电子倍增效应,易于导致介质片破裂,不利于高频能量传输.
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文献信息
篇名 电介质表面纵向射频电场对次级电子倍增效应的影响
来源期刊 物理学报 学科 工学
关键词 纵向射频场 次级电子倍增效应 蒙特卡罗方法 功率沉积
年,卷(期) 2011,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 200-208
页数 分类号 TN123
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 罗积润 中国科学院电子学研究所 72 330 11.0 13.0
2 张兆传 中国科学院电子学研究所 31 158 6.0 11.0
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研究主题发展历程
节点文献
纵向射频场
次级电子倍增效应
蒙特卡罗方法
功率沉积
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
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