GaN光电阴极的研究及其发展

• 作者: 常本康 张俊举 徐源 李飙 杜晓晴 杜玉杰 王晓晖
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 光电阴极 发展
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 页码范围: 858-864
• 分类号: TN203
• 语种: 中文

摘要

GaN光电阴极的理论研究主要集中在量子产额、电子能量分布和表面模型三个方面.国内对GaN光电阴极的研究尚处于起步阶段,存在基础理论不太明确、关键制备工艺欠成熟的问题.重点探讨了GaN光电阴极在发射机理、材料生长、表面净化、激活工艺的优化、变掺杂结构设计和稳定性等方面的研究动向、存在的相关问题及应采取的措施.根据实验结果提出了制备GaN光电阴极的可行性工艺流程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	王晓晖	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	92	6.0	8.0
3	杜玉杰	南京理工大学电子工程与光电技术学院	10	74	6.0	8.0
4	杜晓晴	重庆大学光电工程学院	26	198	9.0	12.0
5	张俊举	南京理工大学电子工程与光电技术学院	67	693	11.0	22.0
6	徐源	南京理工大学电子工程与光电技术学院	11	23	3.0	4.0
7	李飙	南京理工大学电子工程与光电技术学院	6	37	4.0	6.0