p型金属氧化物半导体场效应晶体管界面态的积累对单粒子电荷共享收集的影响

• 作者: 何益百 刘必慰 梁斌 池雅庆 秦军瑞 陈书明 陈建军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 负偏置温度不稳定性 电荷共享收集 双极放大效应 单粒子多瞬态
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 页码范围: 509-517
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

由于负偏置温度不稳定性和热载流子注入,p型金属氧化物半导体场效应晶体管（pMOSFET）将在工作中不断退化,而其SiO2/Si界面处界面态的积累是导致其退化的主要原因之一.采用三维器件数值模拟方法,基于130nm体硅工艺,研究了界面态的积累对相邻pMOSFET之间单粒子电荷共享收集的影响.研究发现,随着pMOSFETSiO2/Si界面处界面态的积累,相邻pMOSFET漏端的单粒子电荷共享收集量均减少.还研究了界面态的积累对相邻反相器中单粒子电荷共享收集所导致的多瞬态脉冲的影响.研究发现,随着pMOSFETSiO2/Si界面处界面态的积累,pMOSFET之间电荷共享收集所导致的多瞬态脉冲压缩,而n型金属氧化物半导体场效应晶体管之间电荷共享收集所导致的多瞬态脉冲展宽.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈建军	国防科学技术大学计算机学院	7	18	3.0	3.0
2	陈书明	国防科学技术大学计算机学院	36	224	7.0	13.0
3	池雅庆	国防科学技术大学计算机学院	6	60	3.0	6.0
4	梁斌	国防科学技术大学计算机学院	6	26	3.0	5.0
5	刘必慰	国防科学技术大学计算机学院	4	71	3.0	4.0
6	秦军瑞	国防科学技术大学计算机学院	2	5	2.0	2.0
7	何益百	国防科学技术大学计算机学院	2	4	1.0	2.0