MgB2超薄膜的制备和性质研究

• 作者: 冯庆荣 孙玄 王亚洲 黄煦
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgB2超薄膜 薄膜生长 氢气流量 混合物理化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 页码范围: 635-644
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文

摘要

利用混合物理化学气相沉积法在6H-SiC（001）衬底上制备干净的MgB2超导超薄膜.在本底气体压强、载气氢气流量等条件一定的情况下,改变B2H6流量及沉积时间,制备得到不同厚度的系列MgB2超薄膜样品,并研究了超导转变温度Tc、剩余电阻率ρ（42K）、上临界磁场Hc2等与膜厚的关系.该系列超薄膜沿c轴外延生长,随膜厚度的变小,Tc（0）降低,ρ（42K）升高.膜在衬底上的生长遵循Volmer-Weber岛状生长模式.对于厚度为7.5nm的MgB2超薄膜,Tc（0）=32.8K,ρ（42K）=118μΩcm,是迄今为止所观测到的厚度为7.5nm的MgB2超薄膜最高的Tc值;对于厚度为10nm的MgB2膜,Tc（0）=35.5K,ρ（42K）=17.7μΩcm,上临界磁场μ0Hc2估算为12T左右,零磁场、4K时的临界电流密度Jc=1.0×107A/cm2,是迄今为止10nm厚MgB2超薄膜的最高Jc值,且其表面连接性良好,均方根粗糙度为0.731nm.这预示MgB2超薄膜在超导纳米器件上具有广阔的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙玄		1	3	1.0	1.0
2	黄煦		1	3	1.0	1.0
3	王亚洲		1	3	1.0	1.0
4	冯庆荣		1	3	1.0	1.0