AIGaN／GaN高速电子迁移率晶体管器件电流坍塌效应与界面热阻和温度的研究

• 作者: 王强 顾江 鲁宏
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: AIGaN/GaN HEMT器件 热电子效应 自加热效应 电流坍塌效应
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 582-588
• 分类号: TN304.26
• 语种: 中文

摘要

本文系统研究了A1GaN／GaN基高速电子迁移率晶体管器件界面热阻和工作温度对器件在高功率下的电流坍塌效应的影响规律．研究发现低漏极电压下热电子是导致负微分输出电导的重要因素，器件工作温度变高会使负微分输出电导减小．高漏极电压下自加热效应是导致电流坍塌的一个重要因素．随着界面热阻的增加，器件跨导降低，阂值电压增大．同时，由于工作环境温度的增高，器件随之温度增高，载流子迁移率会显著降低．最终这两种因素会引起A1GaN／GaN基高速电子迁移率晶体管器件显著的电流坍塌效应，从而降低了器件整体性能．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王强	南通大学电子信息学院	60	132	6.0	8.0
2	顾江	常熟理工学院物理电子系	13	51	4.0	6.0
3	鲁宏	常熟理工学院物理电子系	3	3	1.0	1.0