亚100nm应变Si／SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型

• 作者: 吴铁峰 张鹤鸣 王冠宇 王斌 王晓艳
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 亚lOOnm 应变Si/SiGe nMOSFET 二维表面势 阈值电压
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 573-581
• 分类号: TN431.2
• 语种: 中文

摘要

本文基于二维泊松方程，建立了适用于亚100nm应变Si／SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型．为了保证该模型的准确性，同时考虑了器件尺寸减小所导致的物理效应，如短沟道效应，量子化效应等．通过将模型的计算结果与二维器件模拟器ISE的仿真结果进行对比分析，证明了本文提出的模型的正确性．最后，还讨论了亚100nm器件中常规工艺对阈值电压的影响．该模型为亚100nm小尺寸应变si器件的分析设计提供了一定的参考．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
2	王斌	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	24	269	7.0	16.0
3	王晓艳	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	12	52	4.0	6.0
4	王冠宇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	12	48	5.0	6.0
5	吴铁峰	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	8	23	3.0	4.0