光通信用雪崩光电二极管（APD）频率响应特性研究

• 作者: 莫秋燕 赵彦立
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: SACM-APD 电路模型 频率响应
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 核物理学
• 页码范围: 195-204
• 分类号: TN364.2
• 语种: 中文

摘要

吸收层、电荷层和倍增层分离结构雪崩光电二极管（SACM-APD），包括InP／InGaAs、InAlAs／InGaAs和Si／GeAPD是光通信领域近年来研究的热点．本文基于电路模型，系统比较了不同外延层厚度、不同材料以及不同结构APD的频率响应特性，重点探讨Si／GeAPD吸收层厚度、光敏面大小、寄生参数等各项参数对带宽的影响，仿真结果与实际器件实验数据相符合．本文的研究成果对SACM—APD的优化设计具有指导意义．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵彦立	华中科技大学光电子科学与工程学院武汉光电国家实验室	3	30	3.0	3.0
2	莫秋燕	华中科技大学光电子科学与工程学院武汉光电国家实验室	1	14	1.0	1.0